微电子科学家吴德馨院士逝世
中国共产党党员、中国科学院院士、微电子科学家、中国科学院微电子研究所研究员吴德馨同志，因病医治无效，于2026年3月23日在北京逝世，享年90岁。
吴德馨1936年12月生于河北乐亭，1961年毕业于清华大学无线电电子学系，成为清华大学第一批半导体专业毕业生。毕业后被分配至中国科学院半导体研究所工作。1979年6月加入中国共产党。1986年调入中国科学院微电子中心（现中国科学院微电子研究所）工作，历任助理研究员、研究员、中心副主任、主任。1991年当选中国科学院学部委员（院士）。
吴德馨是我国半导体与集成电路研究的开拓者之一，为国家微电子事业发展作出了卓越贡献。她作为课题负责人承担了“十二年科学规划”中的“平面型高速开关晶体管的研究”，独立自主地解决了提高开关速度的关键问题，打破了西方国家对我国的封锁，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件；首次在国内成功研制出4K、16K位DRAM；成功开发出双层多晶硅和差值氧化工艺，打破了我国大规模集成电路成品率长期低下的局面，为我国集成电路的工业生产奠定了基础。曾获国家科学技术进步奖二等奖、北京市科学技术奖一等奖、中国科学院科学技术进步奖一等奖、何梁何利基金科学与技术进步奖等。
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